|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Високоефективний модуль перешкод (jammer) серії GaN YNX — це передове рішення для створення радіоелектронних завад, розроблене спеціально для сучасних засобів РЕБ. Основною перевагою пристрою є використання технології GaN (нітрид галію). У порівнянні з традиційними LDMOS транзисторами, напівпровідники на базі GaN здатні витримувати значно вищі електричні та теплові навантаження, що забезпечує стабільну роботу в екстремальних умовах.
Завдяки впровадженню GaN-технології, модуль демонструє високу потужність при збереженні компактних розмірів, гарантуючи надійне блокування небажаних сигналів. Це ідеальний вибір за критерієм «ціна-якість» для інтеграції в системи протидії безпілотним літальним апаратам (Anti-Drone).
Ключові переваги:
- Термостійкість та витривалість: Ефективна робота під високим навантаженням.
- Надійність: Висока продуктивність у складних сценаріях використання.
- Ергономічність: Компактний корпус та стандартний роз'єм для швидкого підключення.
Технічні характеристики:
- Технологія: GaN (Нітрид галію)
- Призначення: Створення перешкод (jammer), Anti-Drone системи
- Вихідна потужність: 50 Вт
- Тип роз'єму: SMA
ВАЖЛИВО: Для стабільної та тривалої роботи модуля обов’язковим є використання додаткового активного охолодження (радіаторів та кулерів).