|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Высокоэффективный модуль помех (jammer) серии GaN YNX — это передовое решение для создания радиоэлектронных помех, разработанное специально для современных средств РЭБ. Ключевым преимуществом устройства является использование технологии GaN (нитрид галлия). В сравнении с традиционными LDMOS транзисторами, полупроводники на базе GaN способны выдерживать значительно более высокие электрические и тепловые нагрузки, что обеспечивает стабильную работу в экстремальных условиях.
Благодаря внедрению GaN-технологии, модуль демонстрирует высокую производительность при сохранении компактных размеров, гарантируя надежное блокирование нежелательных сигналов. Это идеальный выбор по критерию «цена-качество» для интеграции в системы противодействия беспилотным летательным аппаратам (Anti-Drone).
Ключевые преимущества:
- Термостойкость и выносливость: Эффективная работа под высокими нагрузками.
- Надежность: Высокая производительность в сложных сценариях использования.
- Эргономичность: Компактный корпус и стандартный разъем для удобного подключения.
Технические характеристики:
- Технология: GaN (Нитрид галлия)
- Назначение: Создание помех (jammer), Anti-Drone системы
- Выходная мощность: 50 Вт
- Тип разъема: SMA
ВАЖНО: Для стабильной и длительной работы модуля обязательным является использование дополнительного активного охлаждения (радиаторов и кулеров).